PMN55LN,135参数：MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：10,000系列：TrenchMOS™包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4.1A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：65 毫欧 @ 2.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13.1nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：500pF @ 20V功率 - 最大值：1.75W安装类型：表面贴装封装：SC-74，SOT-457供应商器件封装：6-TSOP
