PMWD19UN

PMWD19UN,518
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PMWD19UN,518参数：MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8TSSOP

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：2,500
系列：TrenchMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：23 毫欧 @ 3.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：28nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1478pF @ 10V
功率 - 最大值：2.3W
安装类型：表面贴装
封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装：8-TSSOP