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PSMN009-100W

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PSMN009-100W 优势库存
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相关型号： PSMN009-100P,127 PSMN009-100B,118 PSMN008-75P,127 PSMN008-75B,118 PSMN006-20K,518 PSMN005-75P,127

PSMN009-100W,127
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PSMN009-100W,127参数：MOSFET N-CH 100V 100A SOT429

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：TrenchMOS™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：100A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：9 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：214nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9000pF @ 25V
功率 - 最大值：300W
安装类型：通孔
封装：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247-3

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