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PSMN1R6-30PL

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PSMN1R6-30PL,127
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PSMN1R6-30PL,127参数：MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
特色产品： TO220withTrench6MOSFETs
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.7毫欧@25A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.15V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：212nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：12493pF@12V
功率-最大值：306W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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