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PSMN8R2-80YS

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PSMN8R2-80YS,115
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PSMN8R2-80YS,115参数：MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
特色产品： LFPAKTrench6MOSFETs
标准包装：1,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：80V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：82A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8.5毫欧@15A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：55nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：3640pF@40V
功率-最大值：130W
安装类型：表面贴装
封装：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供应商器件封装：LFPAK，Power-SO8

PSMN8R2-80YS

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