PTFB191501E V1参数：FET RF LDMOS 150W H36248-2
类别：分立半导体产品-RF FET标准包装：50系列：-包装：托盘晶体管类型：LDMOS频率：1.99GHz增益：18dB电压 - 测试：30V额定电流：-噪声系数：-电流 - 测试：1.2A功率 - 输出：150W电压 - 额定：65V封装：2-扁平封装，叶片引线供应商器件封装：H-36248-2
