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PZM8.2NB1

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PZM8.2NB1,115
NXP USA Inc.
SMT3; MPAK
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PHILIPS
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相关型号： PZM8.2NB,115 PZM7.5NB3,115 PZM7.5NB2A,115 PZM7.5NB2,115 PZM7.5NB1,115 PZM7.5NB,115

PZM8.2NB1,115
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PZM8.2NB1,115参数：DIODE ZENER 8.2V 300MW SMT3

类别：分立半导体产品-单二极管/齐纳
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：8.2V
容差：±2%
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流：700nA @ 5V
功率 - 最大值：300mW
阻抗（最大值）(Zzt)：10 欧姆
不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)：1.1V @ 100mA
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SMT3
工作温度：-65°C ~ 150°C

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