QS6J11TR参数：MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块： MOSFETs标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个P沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：12V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：105毫欧@2A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6.5nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：770pF@6V功率-最大值：600mW安装类型：表面贴装封装：SOT-23-6细型，TSOT-23-6供应商器件封装：TSMT6
