QS6612

QS6J11TR
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QS6J11TR参数：MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品培训模块： MOSFETs
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个P沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：12V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：105毫欧@2A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6.5nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：770pF@6V
功率-最大值：600mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-23-6细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：TSMT6