QS8M12TCR参数：MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：N 和 P 沟道FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：42 毫欧 @ 4A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：3.4nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：250pF @ 10V功率 - 最大值：1.5W安装类型：表面贴装封装：8-SMD，扁平引线供应商器件封装：TSMT8
