R8002ANX参数：MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：500系列：-包装：散装FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：800V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：4.3 欧姆 @ 1A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12.7nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：210pF @ 25V功率 - 最大值：35W安装类型：通孔封装：TO-220-3 整包供应商器件封装：TO-220FM
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