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RFD3055SM

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相关型号： RFD3055LESM9A RFD3055LESM RFD3055LE RFD3055 RFD16N06LESM9A RFD16N05SM9A

RFD3055SM
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RFD3055SM参数：MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,800
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：12A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：150 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：23nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：300pF @ 25V
功率 - 最大值：53W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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