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RFP12N10

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RFP12N10L
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RFP12N10L参数：MOSFET N-CH 100V 12A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing SMPSPowerSwitch
标准包装：400
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：200毫欧@12A，5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：900pF@25V
功率-最大值：60W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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