RJH1CM7DPQ-E0#T2参数:IGBT 1200V 50A 328.9W TO247
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:1系列:-包装:*IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.6V @ 15V,50A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50ACurrent - Collector Pulsed (Icm):100A功率 - 最大值:328.9WSwitching Energy:2.3mJ (开), 1.3mJ (关)输入类型:标准Gate Charge:140nCTd (on/off) A 25°C:50ns/165nsTest Condition:600V, 25A, 5 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):170ns封装:*安装类型:*供应商器件封装:*