RJH60D6DPM-00#T1参数:IGBT 600V 80A 50W TO-3PFM
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:100系列:-包装:管件IGBT 类型:沟道电压 - 集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.2V @ 15V,40A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80ACurrent - Collector Pulsed (Icm):-功率 - 最大值:50WSwitching Energy:850µJ (开), 600µJ (关)输入类型:标准Gate Charge:104nCTd (on/off) A 25°C:50ns/160nsTest Condition:300V, 40A, 5 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):100ns封装:TO-3PFM,SC-93-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-3PFM