RJH60F6DPK-00#T0参数:IGBT 600V 85A 297.6W TO-3P
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:100系列:-包装:管件IGBT 类型:沟道电压 - 集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):1.75V @ 15V,45A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):85ACurrent - Collector Pulsed (Icm):-功率 - 最大值:297.6WSwitching Energy:-输入类型:标准Gate Charge:-Td (on/off) A 25°C:58ns/131nsTest Condition:400V,30A,5 欧姆,15V反向恢复时间 (trr):140ns封装:TO-3P-3,SC-65-3安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-3P