RJK0226DNS-00#J5参数：MOSFET N-CH 25V 40A 8-HVSON
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物!FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：25V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：40A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.8 毫欧 @ 20A，8V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：31nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6020pF @ 10V功率 - 最大值：30W安装类型：表面贴装封装：8-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装：8-DFN3333（3.3x3.3）