RJK0365DPA-02#J0B参数：MOSFET N-CH 30V 30A WPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：2,500系列：-包装：*FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：30A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：8.4 毫欧 @ 15A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.6nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1180pF @ 10V功率 - 最大值：30W安装类型：*封装：*供应商器件封装：*