RJK03E1DNS-00#J5参数：MOSFET N-CH 30V 25A 8-HWSON
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：5,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：25A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：6.9 毫欧 @ 12.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.7nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2300pF @ 10V功率 - 最大值：15W安装类型：表面贴装封装：8-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装：8-HWSON（3.3x3.3）
