RJK03N8DNS-00#J5参数：MOSFET N-CH 30V 30A HWSON
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：5,000系列：-包装：*FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：30A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5.5 mOhm @ 15A, 8V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：23.6nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4130pF @ 10V功率 - 最大值：20W安装类型：*封装：*供应商器件封装：*