RJK1021

RJK1001DPN-E0#T2
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RJK1001DPN-E0#T2参数：MOSFET N-CH 100V 80A TO220

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1
系列：-
包装：*
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：80A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5.5 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：147nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：10000pF @ 10V
功率 - 最大值：200W
安装类型：*
封装：*
供应商器件封装：*