RJK60S5DPN-E0#T2参数：MOSFET N-CH 600V 20A TO-220AB
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：100系列：-包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：超级结漏源极电压 (Vdss)：600V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：20A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：178 毫欧 @ 10A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：27nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1600pF @ 25V功率 - 最大值：166.6W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220AB