RJK60S8DPK-M0#T0参数：MOSFET N-CH 600V 55A TO3PSG
类别：分立半导体产品-FET - 单特色产品： SuperJunction(SJ)MOSFETs标准包装：100系列：-包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：超级结漏源极电压(Vdss)：600V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：55A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：56毫欧@27.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：-不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：82nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：5300pF@25V功率-最大值：416.6W安装类型：通孔封装：TO-3PSG供应商器件封装：TO-3PSG