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RJP020N06

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相关型号： RJLSE6306101T2 RJLSE6206101T RJLSE4238301T RJLSE4238101T RJLSE4208101T RJL6032DPP-M0#T2

RJP020N06T100
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RJP020N06T100参数：MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： MOSFETs
产品目录绘图： xT100SeriesSOT-89
标准包装：1,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：240毫欧@2A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10nC@4V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：160pF@10V
功率-最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-243AA
供应商器件封装：MPT3

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