RJP6085DPN-00#T2参数：IGBT 600V 40A 178.5W TO-220AB
类别：分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装：100系列：-包装：管件IGBT 类型：-电压 - 集射极击穿（最大值）：600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：3.5V @ 15V，40A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：-功率 - 最大值：178.5WSwitching Energy：-输入类型：标准Gate Charge：-Td (on/off) A 25°C：30ns/60nsTest Condition：300V, 40A, 5 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr)：-封装：TO-220-3安装类型：通孔供应商器件封装：TO-220AB
