RJP65T43DPQ-A0#T2

RJP6085DPK-00#T0
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RJP6085DPK-00#T0参数：IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：100
系列：-
包装：管件
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：3.5V @ 15V，40A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40A
Current - Collector Pulsed (Icm)：-
功率 - 最大值：178.5W
Switching Energy：-
输入类型：标准
Gate Charge：-
Td (on/off) A 25°C：30ns/60ns
Test Condition：300V, 40A, 5 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：-
封装：TO-3P-3，SC-65-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-3P