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RN2109

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RN2109 优势库存
TOSHIBA
SOT-523
2023+
153350
全新原厂原装现货
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RN2109MFV,L3F
Toshiba Semico..
VESM
2023+
500
全新原装现货质量保证
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RN2109CT(TPL3)
Toshiba Semico..
CST3
2023+
500
全新原装现货质量保证
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RN2109ACT(TPL3)
Toshiba Semico..
CST3
2023+
10400
全新原装现货质量保证
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RN2109,LXHF(CT
Toshiba Semico..
SSM
2023+
6500
全新原装现货质量保证
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RN2109,LF(CT
Toshiba Semico..
SSM
2023+
500
全新原装现货质量保证
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RN2109
TOSHIBA
SOT-523
2023+
150000
品质保证,价格优惠
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RN2109FS(TPL3)
Toshiba代理分销
3-fSM
2023+
1250
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RN2109MFV(TPL3)
Toshiba代理分销
VESM
2023+
1250
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RN2109FV
TOSHIBA
SOT-490
2023+
22278
工厂配单，价格优势
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RN2109FT
TOSHIBA
SOT-490
2023+
22278
工厂配单，价格优势
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联系人：销售部
QQ询价
RN2109FS
TOSHIBA
fSM
2023+
22278
工厂配单，价格优势
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RN2109F
TOSHIBA
423
2023+
6537
工厂配单，价格优势
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RN2109
TOSHIBA
SOT-416
2023+
22278
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相关型号： RN2108MFV(TPL3) RN2108FS(TPL3) RN2107MFV(TPL3) RN2107FS(TPL3) RN2106FS(TPL3) RN2105MFV(TPL3)

RN2109FS(TPL3)
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RN2109FS(TPL3)参数：TRANSISTOR PNP 20V 0.05A FSM

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
标准包装：10,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
晶体管类型：PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：20V
电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：47k
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：22k
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，5V
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：150mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：50mW
安装类型：表面贴装
封装：3-SMD，扁平引线
供应商器件封装：fSM（1.0x0.6）

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