RRR040P03TL参数:MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:3,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 4A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10.5nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1000pF @ 10V功率 - 最大值:1W安装类型:表面贴装封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装:TSMT3