RSJ650N10TL参数：MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：1,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：65A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：9.1 毫欧 @ 32.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：260nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：10780pF @ 25V功率 - 最大值：100W安装类型：表面贴装封装：SC-83供应商器件封装：LPTS
