RSM002P03T2L

RSM002P03T2L
PDF资料下载

RSM002P03T2L参数：MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： MOSFETs
产品目录绘图： 2SK3541,RSM,RTMSeriesVMT-3
特色产品： ECOMOS?SeriesMOSFETs
标准包装：8,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，4V驱动
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：200mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.4欧姆@200mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：30pF@10V
功率-最大值：150mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-723
供应商器件封装：VMT3