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RTM875N-606

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RTM002P02T2L
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RTM002P02T2L参数：MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： MOSFETs
产品目录绘图： 2SK3541,RSM,RTMSeriesVMT-3
特色产品： ECOMOS?SeriesMOSFETs
标准包装：8,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：200mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.5欧姆@200mA，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：50pF@10V
功率-最大值：150mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-723
供应商器件封装：VMT3

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