RTR030N05TL参数：MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： RxR0SeriesTSMT-3标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平栅极，2.5V驱动漏源极电压(Vdss)：45V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：67毫欧@3A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6.2nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：510pF@10V功率-最大值：1W安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：TSMT3