RUE002N02TL参数：MOSFET N-CH 20V .2A EMT3
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： RUESeriesEMT-3特色产品： ECOMOS?SeriesMOSFETs标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平栅极，1.2V驱动漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：200mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.2欧姆@200mA，2.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：25pF@10V功率-最大值：150mW安装类型：表面贴装封装：SC-75，SOT-416供应商器件封装：EMT3
