RUE002N02TL

RUE002N02TL
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RUE002N02TL参数：MOSFET N-CH 20V .2A EMT3

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： RUESeriesEMT-3
特色产品： ECOMOS?SeriesMOSFETs
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，1.2V驱动
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：200mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.2欧姆@200mA，2.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：25pF@10V
功率-最大值：150mW
安装类型：表面贴装
封装：SC-75，SOT-416
供应商器件封装：EMT3