RVQ040N05TR参数：MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： TSMT-6PackageTop特色产品： ECOMOS?SeriesMOSFETs标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平栅极，4V驱动漏源极电压(Vdss)：45V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：53毫欧@4A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：8.8nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：530pF@10V功率-最大值：1.25W安装类型：表面贴装封装：SOT-23-6细型，TSOT-23-6供应商器件封装：TSMT6