RW1C020UNT2R参数：MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：8,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平栅极，1.5V 驱动漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：105 毫欧 @ 2A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：180pF @ 10V功率 - 最大值：700mW安装类型：表面贴装封装：SOT-563，SOT-666供应商器件封装：6-WEMT
