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SGB07N120

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相关型号： SGB06N60 SGB02N60 SGB02N120 SGB SGABM25-S6-C SGABM25-AT-C0

SGB07N120
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SGB07N120参数：IGBT 1200V 8A 125W TO263-3-2

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：1,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
IGBT 类型：NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：3.6V @ 15V，8A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：16.5A
Current - Collector Pulsed (Icm)：27A
功率 - 最大值：125W
Switching Energy：1mJ
输入类型：标准
Gate Charge：70nC
Td (on/off) A 25°C：27ns/440ns
Test Condition：800V, 8A, 47 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：-
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：PG-TO263-3-2

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