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SGD02N120

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SGD02N120
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SGD02N120参数：IGBT NPT 1200V 6.2A 62W TO252-3

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷 (TR)
IGBT 类型：NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：3.6V @ 15V，2A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6.2A
Current - Collector Pulsed (Icm)：9.6A
功率 - 最大值：62W
Switching Energy：220µJ
输入类型：标准
Gate Charge：11nC
Td (on/off) A 25°C：23ns/260ns
Test Condition：800V, 2A, 91 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：-
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：PG-TO252-3

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