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SGP10N60RUFD

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SGP10N60RUFD 优势库存
FAIRCHILD
TO-220
2023+
683
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SGP10N60RUFDTU
FairchildSemic..
IGBT600V16A7..
2023+
19184
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2023+
12057
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SGP10N60RUFD
220
2023+
1800
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SGP10N60RUFDTU
FairchildSemic..
TO-220-3()
2023+
6000
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SGP10N60RUFDTU
FairchildSemic..
TO-220-3
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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SGP10N60RUFDTU
SAMSUNG
TO-220
2023+
39
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SGP10N60RUFDTU
Fairchild
全新原装现货
2023+
3000
SGP10N60RUFD
Infineon
库房现货原装进口
2023+
5600
相关型号： SGP10N60A SGP100SZ SGP07N120 SGP06N60 SGP04N60 SGP02N60

SGP10N60RUFDTU
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SGP10N60RUFDTU参数：IGBT W/DIODE 600V 10A TO-220

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：50
系列：-
包装：管件
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic时的?Vce(on)：2.8V@15V，10A
电流-集电极(Ic)（最大值）：16A
Current-CollectorPulsed(Icm)：30A
功率-最大值：75W
SwitchingEnergy：356µJ
输入类型：标准
GateCharge：30nC
Td(on/off)A25°C：15ns/36ns
TestCondition：300V,10A,20欧姆,15V
反向恢复时间(trr)：42ns
封装：TO-220-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-220

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