SGR2N60UFDTM参数:IGBT W/DIODE 600V 1.2A DPAK
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:2,500系列:-包装:带卷 (TR)IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.6V @ 15V,1.2A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2.4ACurrent - Collector Pulsed (Icm):10A功率 - 最大值:25WSwitching Energy:43µJ输入类型:标准Gate Charge:9nCTd (on/off) A 25°C:15ns/80nsTest Condition:300V, 1.2A, 200 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):-封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63安装类型:表面贴装供应商器件封装:D-Pak