SGS10N60RUFTU参数:IGBT W/DIODE 600V 10A TO-220F
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:1,000系列:-包装:管件IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.8V @ 15V,10A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):16ACurrent - Collector Pulsed (Icm):30A功率 - 最大值:55WSwitching Energy:356µJ输入类型:标准Gate Charge:30nCTd (on/off) A 25°C:15ns/36nsTest Condition:300V, 10A, 20 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):-封装:TO-220-3 整包安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220F