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SGSD200

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相关型号： SGSD100 SGS6N60UFTU SGS6N60UFDTU SGS5N60RUFDTU SGS5N150UFTU SGS23N60UFDTU

SGSD200
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SGSD200参数：TRANSISTOR DARL PNP COMPL TO-247

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路
标准包装：30
系列：-
包装：管件
晶体管类型：PNP - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：25A
电压 - 集射极击穿（最大值）：80V
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：3.5V @ 80mA，20A
电流 - 集电极截止（最大值）：500µA
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：500 @ 10A，3V
功率 - 最大值：130W
频率 - 跃迁：-
安装类型：通孔
封装：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247-3

SGSD200

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