SGW23N60UFDTM参数:IGBT W/DIODE 600V 12A D2PAK
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:800系列:-包装:带卷 (TR)IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.6V @ 15V,12A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):23ACurrent - Collector Pulsed (Icm):92A功率 - 最大值:100WSwitching Energy:250µJ输入类型:标准Gate Charge:49nCTd (on/off) A 25°C:17ns/60nsTest Condition:300V, 12A, 23 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):42ns封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB安装类型:表面贴装供应商器件封装:D²PAK