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SI1013X

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SI1013X-T1-E3 优势库存
VISHAY
2023+
36350
全新原厂原装现货
SI1013X-T1-GE3
Vishay Silicon..
SC-89-3
2023+
30389
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SI1013X-T1-E3
Vishay Silicon..
SC-89-3
2023+
500
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SI1013X-T1-E3
VISHAY
VSON-5
2023+
5557
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SI1013X-T1
VISHAY
SOT416
2023+
152557
全新进口原装现货,特价热卖
SI1013X-T1-E3
VISHAY
603
2023+
33000
品质保证,价格优惠
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SI1013X-T1
VISHAY
SOT323
2023+
2900
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SI1013X-T1-GE3
Vishay/Silicon..
SC-89-3
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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SI1013X-T1-GE3
Vishay/Silicon..
SC-89,SOT-490
2023+
10117
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SI1013X-T1SOT416-B
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SI1013X-T1-GE3
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SI1013X-T1-E3SOT416-BPB-FREE
VISHAY
2023+
4278
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SI1013X
VISHAY
SOT-523
2023+
6278
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SI1013X-T1-E3
原装正品
原厂封装
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SI1013X-T1
原装正品
原厂封装
2023+
66300
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相关型号： SI1013R-T1-GE3 SI1013R-T1-E3 SI1013-C-GM2 SI1013-A-GMR SI1013-A-GM SI1012X-T1-GE3

SI1013X-T1-E3
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SI1013X-T1-E3参数：MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：350mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：450mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：250mW
安装类型：表面贴装
封装：SC-89，SOT-490
供应商器件封装：SC-89-3

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