SI1050

SI1050X-T1-E3
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SI1050X-T1-E3参数：MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，1.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss)：8V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：-
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：86 毫欧 @ 1.34A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11.6nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：585pF @ 4V
功率 - 最大值：236mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-563，SOT-666
供应商器件封装：SC-89-6