SI1051

SI1051X-T1-E3
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SI1051X-T1-E3参数：MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：8V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：-
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：122 毫欧 @ 1.2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9.45nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：560pF @ 4V
功率 - 最大值：-
安装类型：表面贴装
封装：SOT-563，SOT-666
供应商器件封装：SC-89-6