SI1300BDL-T1-E3参数：MOSFET N-CH 20V 400MA SOT323-3
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：400mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：850 毫欧 @ 250mA，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.84nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：35pF @ 10V功率 - 最大值：200mW安装类型：表面贴装封装：SC-70，SOT-323供应商器件封装：SC-70-3
