SI2318CDS

SI2318CDS-T1-GE3
PDF资料下载

SI2318CDS-T1-GE3参数：MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：40V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：42 毫欧 @ 4.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：340pF @ 20V
功率 - 最大值：2.1W
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）