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SI2324DS-T1

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SI2324DS-T1-E3 优势库存
VISHAY
SOT-23
2023+
213350
全新原厂原装现货
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SI2324DS-T1-GE3
Vishay Silicon..
SOT-23-3（TO-..
2023+
73600
全新原装进口现货品质保证
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SI2324DS-T1-BE3
Vishay Silicon..
SOT-23-3（TO-..
2023+
7702
全新原装进口现货品质保证
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SI2324DS-T1
VISHAY
SOT23
2023+
1398
全新进口原装现货,保证质量
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SI2324DS-T1-E3
VISHAY
SOT-23
2023+
210000
品质保证,价格优惠
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SI2324DS-T1
VISHAY
SOT23
2023+
120
品质保证,价格优惠
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SI2324DS-T1-GE3
VISHAY
SOT-23
2023+
900
保证原装正品现货实单价可谈
相关型号： SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-E3 SI2323DS-T1 SI2323DDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 SI2321DS-T1-GE3

SI2321DS-T1-E3
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SI2321DS-T1-E3参数：MOSFET P-CH 20V SOT-23

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：57 毫欧 @ 3.3A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：715pF @ 6V
功率 - 最大值：710mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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