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SI2328DS-T1

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SI2328DS-T1-E3 优势库存
VISHAY
SOT-23
2023+
213352
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SI2328DS-T1-GE3
Vishay Silicon..
SOT-23-3（TO-..
2023+
500
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SI2328DS-T1
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SOT-23
2023+
683
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SI2328DS-T1-E3
VISHAY
SOT23-3
2023+
2384
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SOT23
2023+
1100
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SI2328DS-T1-E3
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SOT-23
2023+
210000
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SI2328DS-T1-GE3
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TO-236-3,SC-..
2023+
1250
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SI2328DS-T1-GE3
原装正品
原厂封装
2023+
66300
一级代理/全新原装现货/长..
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VISHAY
SOT-23
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6000
原装现货
相关型号： SI2327DS-T1-GE3 SI2327DS-T1-E3 SI2325DS-T1-GE3 SI2325DS-T1-E3 SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-E3

SI2328DS-T1-E3
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SI2328DS-T1-E3参数：MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.15A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：250 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：730mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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